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应用材料公司推出全新刻蚀系统 实现原子级生产精度

全新的Centris? Sym3?刻蚀系统采用**腔室架构，可使材料清除达到原子级精度

该系统已成功安装于多家客户的主要生产线中，成为公司历史中应用率上升较快的蚀刻设备

加利福尼亚州圣克拉拉，2015年7月13日 — 应用材料公司今天宣布推出下一代刻蚀设备Applied Centris? Sym3? 刻蚀系统。该系统设有全新的反应腔，金属蚀刻加工，可实现原子级精度工艺。为了克服芯片内部特征差异，Centris Sym3系统追赶了现有的蚀刻技术，大幅改善了蚀刻的可控性和**度，提供给芯片制造商制造先进内存和逻辑芯片的密集型三维结构。

应用材料公司蚀刻业务部门副总裁兼总经理Raman Achutharaman博士表示：“凭借我们在蚀刻技术领域20多年的研究成果，以及在精密材料清除工艺方面的**经验，采用*全新设计的Sym3系统能够解决行业内现有以及未来即将面临的诸多挑战。由于客户需求十分强劲，该新系统成为应用材料公司历史中应用率上升较快的蚀刻设备，目前在许多良好的晶圆厂都已完成产量爬坡。”

Centris Sym3蚀刻系统的反应腔采用了应用材料公司*创的True Symmetry? 技术，具有多个调准控制头，白山蚀刻，能将**工艺一致性地优化至原子级水平。该系统的设计关键是对影响芯片内图形一致性的蚀刻副产品进行了有效控制和清除，减少其再沉积，从而解决了刻线边缘粗糙、负载效应以及缺陷等阻碍新技术节点发展的一系列挑战。此外，先进的射频技术能有效控制离子能量和角度分布，蚀刻引线，从而使高深宽比三维结构实现**的垂直分布。

Centris Sym3平台配备6个刻蚀反应腔和2个等离子清洗腔，蚀刻加工，并配有系统智能监控软件，确保每个刻蚀反应腔的所有工艺都能保持**匹配，从而实现可重复、**的大批量生产。

等离子刻蚀机

等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中较常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式，这种设计的是富有弹性的，用户可以移去架子来配置合适的等离子体的蚀刻方法：反应性等离子体（RIE），顺流等离子体（downstream），直接等离子体（direction plasma）。

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