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单晶硅电池的表面织构化已经用酸碱异'性腐蚀的方法得到解决，转换效率高，稳定性好，但是成本比较高。多晶硅是单晶硅的直接原料，能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅链，制造过程简单、省电、节约硅材料，具有更大的降低太阳能电池生产成本的潜力。由于多晶硅中的各种缺陷，如晶界、位错、微缺陷等，使其光电转换效率较低，目前多晶硅电池主要制作减反射膜(SiN薄膜)和制作多孔硅降低光损失，这种方法的设备成本高。同时国内外尝试了用机械刻槽工艺[1]、反应离子刻蚀技术[2]、蜂窝绒面结构技术[3]形成绒面，由于工艺复杂、工序时间长、设备昂贵和成本高等不适慢走丝线切割机床加工经验合工业化生产。以提高转换效率和降低成本为目标，探讨和研究多晶硅电池的新型制作方法是一项艰巨的任务。

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