MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:MOS管又分耗尽型与增强型,所以MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型类:N沟道消耗型、N沟道增强型、P沟道消耗型、 P沟道增强型。
MOS管(场效应管)的应用领域
1:工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源
2:新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机
3:交通运输领域、车载逆变器、汽车HID器、电动自行车
4:绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。