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    供应DS2119ME+TR DS2119ME
深圳市第一动力科技有限公司
  • 所在区域:广东深圳福田区
  • 经营性质:外商独资企业
  • 企业类型:经销批发
  • 注册地:深圳
  • 主营产品:MAX810,MAX708,MAX706
  • 注册资金:人民币 100 万元以下
  • 企业已认证
  • 个人实名未认证
    商家产品分类
    “供应DS2119ME+TR DS2119ME”详细信息
产品规格: TSSOP-28 产品数量: 1000.00 个
包装说明: 2500 价格说明: 不限
查看人数: 125 人 本页链接: https://info.b2b168.com/s168-25882594.html


深圳市第一动力科技有限公司

DS2119M特点
DS2119M具有如下特点:
可全面兼容Ultra2、 Ultra3、Ultra160以及Ultra320 SCSI;提供LVD/SE终结工作模式;自动选择LVD/SE终结模式;终结阻抗误差不**过

5%;内置热关断电路;支持SCSI总线热插拔;工作电压2.7~5.5V。

DS2119M功能原理描述:
DS2119M是一只低电压微分(LVD)终结模式和单端(SE)终结模式的多模式终结器**集成电路。如果DS2119M终结器连结到单LVD SCSI总线,

则DS2119M将以LVD终结模式工作;如果任何SE工作模式设备连接到该总线,则DS2119M将以SE终结模式工作;然而如果一只高电压微分

(HVD)设备被连结该总线,则DS2119M将使终结器与SCSI总线隔离。以上这些过程的变化都是由DS2119M的内部电路感测SCSI总线上的

DIFFSENS线上的电压而自动完成的。

一个参考电源给两个放大器供电,产生了一个1.25V的参考电压和一个2.85V的参考电压。内部控制逻辑电路检测这两种参考电压并提供给终

结电阻。如果SCSI总线工作在LVD模式下,就使用1.25V的参考电压;如果SCSI总线工作在SE模式下,系统将会使用2.85V的参考电压。内部

控制逻辑电路将转换输入输出并联电阻,从而改变总的终结阻抗。
DS2119M内部的DIFFSENSE电路是用以区分SE、HVD和LVD工作模式的,它将会给SCSI总线上的DIFFSENS线提供三种电压中的一种电压,两只

比较器和一个与非门电路将会区别出三种电压,一种是低于0.6V,一种是**2.15V,一种是介于两者之间,这三种电压分别指示SCSI总线

工作于SE、HVD和LVD工作模式。
DS2119M的DIFFCAP脚监控SCSI总线的DIFFSENS线,以决定系统工作于何种工作模式。
DS2119M的DIFFSENSE管脚同时也驱动SCSI总线的DIFFSENS线(MSTR/SLV置高),以决定SCSI总线的工作模式,DS2119M将会根据SCSI总线的

DIFFSENS线上的电压来确定SCSI总线正确的终结模式(SE、HVD、LVD)。
LVD模式:LVD模式是由DS2119M内部的两个电流源以及一系列精密电阻决定其较终终端阻抗,它提供了一个105W的微分阻抗和一个150W的共

模式阻抗。在没有设备连接到SCSI总线时,系统提供一个112mV的维持偏压。
SE模式:进入SE终结模式,SE参考电压置2.85V,并且保持110W的终结阻抗。
HVD隔离模式:当一只高电压微分(HVD)设备接入SCSI总线,DS2119M能将其自动识别出来,同时将终结器的各相关引脚从SCSI总线上隔离出

来。
当ISO端置高或在热关断状态时,终结器的各相关功能引脚将从SCSI总线上隔离出来,并且DIFFSENSE驱动器关断。
为了确保系统可靠工作,DS2119M的TPWR脚应被连接到SCSI总线的TERMPWR线上,跟所有模拟电路要求一样,TERMPWR和VDD线应该就近滤波

。通常在TPWR和地之间放置一只2.2mF的电解电容和一只0.01mF的高频电容并且尽量靠近DS2119M芯片引脚。DS2119M芯片也要尽量靠近SCSI

连接器,以减小电源以及信号线的行程,从而使输入电容较小,减小对SCSI总线信号的影响。
为了保证系统按要求可靠工作,在每只DS2119M的VREF脚和地之间应该放置一只4.7mF的电解电容和一只0.1mF高频瓷介电容。
图2是用3片DS2119M构建的ULtra3 LVD/SE SCSI 终结器的典型应用电路。该电路外围电路简单,元件较少,且DS2119M的外围引脚只有28

脚,排版制作很方便。由于电路简单,减少了PCB电路总布线量,可以改善走线间的串扰,提高了该SCSI终结器的可靠性。在实际运用中,

我们感觉到用DS2119M构建的SCSI终结器,其终结性能比较优越,可以改善一般SCSI终结器在传输距离达到8米以上误码率高的问题,且兼容

性较好。从理论上讲,用该电路实现的SCSI终结器支持的较大数据传输速率可达320MB/s(虽然目前数据传输速率达320MB/s的SCSI设备还很

少见)。
在器件的选择上,连接在DS2119M VREF引脚上的4.7mF电容及TPWR引脚上的2.2mF电容应选用高分子**半导体固体电解电容器,该类电容

有着较低的等效串联阻抗及漏电流,有着良好的高温负荷特性,且使用温度范围较宽,使用该类电容可以大大提高产品的可靠性。
另外连接在VREF及TPWR引脚上的高频瓷介电容请用片状电容器,这样可降低引线电感,提高滤波性能。
在进行PCB设计时请采用四层板结构型式,表面两层为信号层,中间地层和电源层,地层电源层采用大面积布线型式。信号层上的过孔应尽

量小且少,这样不仅可以减小路径电感,而且可以减少高频信号层与层之间的相互影响。


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