“功率模块IGBT模块规格 SKM145GB176D 全新供应”详细信息
产品规格: |
不限 |
产品数量: |
9999.00 件 |
包装说明: |
不限 |
价格说明: |
不限 |
查看人数: |
36 人 |
本页链接: |
https://info.b2b168.com/s168-241853171.html |
公司编号: |
21506294 |
更新时间: |
2022-09-16 15:21:36 |
系列: |
IGBT系列 |
封装: |
标准封装 |
批号: |
new |
可控硅类型: |
硅(si) |
种类: |
化合物半导体 |
上海菲兹电子科技有限公司
IGBT在关断过程中,漏较电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷难以*消除,造成漏较电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏较电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而漏较电流的关断时间。
IGBT 在开通过程中,大部分时间是作为MOSFET 来运行的,只是在漏源电压Uds 下降过程后期, PNP 晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间,tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏较电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和,漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。
IGBT的开关作用是通过加正向栅较电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基较电流,使IGBT导通。反之,加反向门较电压消除沟道,切断基较电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入较N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基较注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。
正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限,远远不能满足电力电子应用技术发展的需求;高压领域的许多应用中,要求器件的电压等级达到10KV以上,只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件,德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用,日本东芝也已涉足该领域。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双较型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过,中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
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主要经营熔断器(fuse)是指当电流**过规定值时,以本身产生的热量使熔体熔断,断开电路的一种保护器件。
熔断器通常采用低熔点的铅锡合金、锌、铜、等材料制成,广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中。。
单位注册资金未知。