单晶XRD哪家好-半导体*(在线咨询)-四川单晶XRD

半导体XRD测试——广东省*半导体*是广东省*下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，四川单晶XRD，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

关于样品试片的厚度

　　样品对X射线透明度的影响，跟样品表面对衍射仪轴的偏离所产生的影响类似，会引起衍射峰的位移和不对称的宽化，此误差使衍射峰位移向较低的角度，特别是对线吸收系数μ值小的样品，在低角度区域引起的位移Δ(2θ)会很显著。

　　如果要求准确测量2θ或要求提高仪器分辨率能力，应该使用薄层粉末样品。通常仪器所附的制作样品的样品框的厚度（1.5～2 mm）对于所有样品的要求均已足够了。

制样技巧

　　对于制样来说没有通用的一种方法，通常需依据实际情况有针对性地进行选择。然而无论用何种方法，都需要满足一个前提条件——在制成样品试片直至衍射实验结束的整个过程中，****试片上样品的组成及其物理化学性质和原样品相同，**确保样品的**性。

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技术参数

1、能量分辨率及灵敏度：

l XPS能量分辨率≤0.5 eV，单晶XRD哪家好，UPS能量分辨率≤120 meV

l XPS灵敏度≥4，000，000 cps，单晶XRD选哪家，UPS灵敏度≥2，200，000 cps；

2、电子能量分析器：

l 能量扫描范围5 eV - 3000 eV，小能量步长3 meV

l 通过能为1 eV - 400 eV，连续可调

3、X射线光源：

l Al Ka单色化光源（hu = 1486.6 eV），聚焦可获得小束斑≤10 μm

l 束斑面积从10 μm至400μm聚焦连续可调，步长不**过5 μm

l X射线光源大功率150 W

4、紫外光源：

l He紫外光源（He I：21.2 eV，He II：40.8 eV）

l He II工作时，He II / He I强度比**1/2

5、电子/离子中和源：

l 带有同源双束中和，同时具备电子和离子中和能力

l 满足绝缘样品UPS分析时的荷电中和

6、离子：

l 能量范围：≥4000 eV

l 大束流：4 μA

l 离子能量3 keV，束流3.5 μA时束斑不大于500 μm

l 束斑可调，自动对中

7、角分辨XPS：

l 角分辨XPS角度分辨优于1°

8、样品台：

l 测试样品厚度≤20 mm

l 带有束斑孔径、刀刃边、荧光物质、银和金的标准样品台，用于系统标定

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对样品粉末粒度的要求

　　任何一种粉末衍射技术都要求样品是十分细小的粉末颗粒，使试样在受光照的体积中有足够多数目的晶粒。因为只有这样，单晶XRD机构，才能满足获得正确的粉末衍射图谱数据的条件：即试样受光照体积中晶粒的取向是*机遇的。这样才能**用照相法获得相片上的衍射环是连续的线条；或者，才能**用衍射仪法获得的衍射强度值有很好的重现性。

　　此外，将样品制成很细的粉末颗粒，还有利于抑制由于晶癖带来的择优取向；而且在定量解析多相样品的衍射强度时，可以忽略消光和微吸收效应对衍射强度的影响。所以在精u确测定衍射强度的工作中（例如相定量测定）十分强调样品的颗粒度问题。

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