“RTP快速退火炉可支持氧化物氮化物生长硅化物合金退火片式退火”详细信息
产品规格: |
见资料 |
产品数量: |
99.00 台 |
包装说明: |
木箱 |
价格说明: |
不限 |
查看人数: |
115 人 |
本页链接: |
https://info.b2b168.com/s168-230121232.html |
公司编号: |
23049994 |
更新时间: |
2023-05-18 17:09:43 |
电源: |
220V |
自动手动: |
手动 |
功能: |
环氧点胶贴片 |
加工定制: |
是 |
重量: |
100千克 |
规格: |
桌面式快速退火炉 |
精度: |
5% |
上海螣芯电子科技有限公司
桌面式快速退火炉
RTP-150RL 是在保护气氛下的桌面手动快速退火系统,以红外可见光加热单片 Wafer 或样品,工艺时间
短,控温精度高,适用 2-6 英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系 统和其他 RTP 系统,其*特的腔体设计、
先进的温度控制技术和*有的 RL900 软件控制系统,确保了较好的热均匀性。
1.2 产品特点
红外卤素灯管加热,冷却采用风冷
灯管功率 PID 控温,可精准控制温度升温,保证良好的重现性与温度均匀性
采用平行气路进气方式,气体的进入口设置在 Wafer 表面,避免退火过程中冷点产生,保证产品良好
的温度均匀性
大气与真空处理方式均可选择,进气前气体净化处理
标配三组工艺气体
可测单晶片样品的尺寸达 6 英寸(150mm)
采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施,***
仪器使用安全
1.3 RTP 行业应用
氧化物、氮化物生长
硅化物合金退火
化镓工艺
欧姆接触快速合金
氧化回流
其他快速热处理工艺
二、技术规格
RTP-RL150
产品尺寸
6 寸晶圆或者较大支持 150×150mm 产品
腔体材质
镀金铝制腔体
温度范围
室温~1200℃(>800℃采用非接触式温度计控温)
升温速度
150℃/s 可编程(此温度为不含载盘的升温速度)
温度均匀度
±5℃≤500℃,±1%>500℃
温度控制重复性
±1℃
恒温持续时间
可依据要求编程
温控方式
快速 PID 温控
控温区域
多组控温区域,保证恒温区温度稳定性
降温速度
约 200℃/min(1000~400℃)不可编程
腔体设计
可配置大气常压腔体或者真空腔体
真空泵
风冷式干泵
腔体冷却方式
水冷腔体,独立水冷源控制冷却
冷水机配置
**选择瑞乐百德公司配置的冷水机,或者使用厂务用水
衬底冷却方式
氮气吹扫
工艺气体
MFC 控制,常规三路气体(N2 / O2 / GN2)
控制方式
工业电脑+PC control
温度校准
TC Wafer 及温度校准工具(选配)
Wafer 托盘
SiC(选配)
12 寸半自动快速退火炉
RTP-300RL 是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统,以红外可见光加热单片 Wafer 或样品,工
艺时间短,控温精度高,适用 4-12 英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系统和其他 RTP 系统,其*特的腔
体设计、先进的温度控制技术和*有的 RL900 软件控制系统,确保了较好的热均匀性。
1.2 产品特点
红外卤素灯管加热,冷却采用风冷
灯管功率 PID 控温,可精准控制温度升温,保证良好的重现性与温度均匀性
采用平行气路进气方式,气体的进入口设置在 Wafer 表面,避免退火过程中冷点产生,保证产品良好
的温度均匀性
大气与真空处理方式均可选择,进气前气体净化处理
标配两组工艺气体,较多可扩展至 6 组工艺气体
可测单晶片样品的较大尺寸为 12 英寸(
300×300mm)
采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施,***
仪器使用安全
1.3 RTP 行业应用
氧化物、氮化物生长
硅化物合金退火
化镓工艺
欧姆接触快速合金
氧化回流
其他快速热处理工艺
2.1 参数
RTP-RL300
产品尺寸
4-12 英寸晶圆或者较大支持 300×300mm 产品
其中兼容 4 寸 9 片与 6 寸 4 片晶圆
腔体材质
镀金铝制腔体
温度范围
室温~1200℃(>800℃采用非接触式温度计控温)
升温速度
150℃/s 可编程(此温度为不含载盘的升温速度)
温度均匀度
±5℃≤500℃,±1%>500℃
温度控制重复性
±1℃
恒温持续时间
可依据要求编程
控温区域
多组控温区域,保证恒温区温度稳定性
温控方式
快速 PID 温控
降温速度
约 200℃/min(1000~400℃)不可编程
腔体设计
可配置大气常压腔体或者真空腔体
真空泵
风冷式干泵
腔体冷却方式
水冷腔体,独立水冷源控制冷却
冷水机配置
**选择瑞乐百德公司配置的冷水机,或者使用厂务用水
衬底冷却方式
氮气吹扫
工艺气体
MFC 控制,常规三路气体(N2 / O2 / GN2)
控制方式
工业电脑+PC control
四、选配清单
温度校准
TC Wafer 及温度校准工具(选配)
Wafer 托盘
SiC(选配,升温速度控制较高 25℃/min)
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