深圳市宝安区诚芯源电子商行
适合频率:不限导电方式:绝缘规格:不限工作电压:不限用途范围:不限
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器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅较(即门较G)。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两较之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区,它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双较晶体管,起发射较的作用,向漏较注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏较(即集电极C)。
各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国*的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双较型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过,中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
IGBT 的转移特性是指输出漏较电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏较电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏较电流限制,其值一般取为15V左右。
IGBT的触发和关断要求给其栅较和基较之间加上正向电压和负向电压,栅较电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时,必须基于以下的参数来进行:器件关断偏置的要求、栅较电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅较- 发射较阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大,故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。
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