大功率IGBT测试仪价格-华科智源-青海大功率IGBT测试仪

1.1设备数量1套*1.2设备功能测试功率半导体器件静态参数*1.3设备组成设备包含硬件模块和软件模块两大部分*1.4硬件模块设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等*1.5软件模块设备软件部分应包括：1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；2. 图形化操作界面；中/英文操作系统3.输出EXCEL、wor测试报告*4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度*5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格；*6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比；2、设备尺寸2.1设备总体长度≤ 700 mm2.2设备总体宽度≤600mm2.3设备总体高度≤500mm

测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门较漏流）、IGESR（反向门较漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门较电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集较漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数，青海大功率IGBT测试仪， 所有小电流指标保证1%重复测试精度， 大电流指标保证2%以内重复测试精度。

半导体元件全自动测试系统，大功率IGBT测试仪现货供应，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，大功率IGBT测试仪批发，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有独立的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。

主要参数测试范围精度要求测试条件

Vce

集射较电压150～3300V150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V；150～3300V

Ic

集射较电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200A

Vge

栅较电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；

0～+30V±1%±0.1V-30V～30V

Qg

栅较电荷400~20000nCIg: 0～50A±3%±0.1mA;400~20000nC

td(on)、td(off)

开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

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