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公司产品包括石英掩膜版,苏打掩膜版,以及菲林版。苏州制版根据客户的构想、草图,定制版图,苏州制版提供高质量掩膜版以及后期的代加工服务!
使用无掩模光刻机读取版图文件,对带胶的空白掩膜版进行非接触式曝光(曝光波长405nm),照射掩膜版上所需图形区域,使该区域的光刻胶(通常为正胶)发生光化学反应
经过显影、定影后,曝光区域的光刻胶溶解脱落,暴露出下面的铬层
公司产品包括石英掩膜版,苏打掩膜版,以及菲林版。苏州制版根据客户的构想、草图,定制版图,苏州制版提供高质量掩膜版以及后期的代加工服务!
光刻(英语:photolithography)是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、SOS中的蓝宝石。
光刻掩膜版(又称光罩,英文为Mask Reticle),简称掩膜版,是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构,再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。
1) 绘制生成设备可以识别的掩膜版版图文件(GDS格式)2) 使用无掩模光刻机读取版图文件,对带胶的空白掩膜版进行非接触式曝光(曝光波长405nm),照射掩膜版上所需图形区域,使该区域的光刻胶(通常为正胶)发生光化学反应3) 经过显影、定影后,玻璃板,曝光区域的光刻胶溶解脱落,暴露出下面的铬层4) 使用铬刻蚀液进行湿法刻蚀,将暴露出的铬层刻蚀掉形成透光区域,而受光刻胶保护的铬层不会被刻蚀,形成不透光区域。这样便在掩膜版上形成透光率不同的平面图形结构。5) 在有必要的情况下,使用湿法或干法方式去除掩膜版上的光刻胶层,并对掩膜版进行清洗。