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上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是:抗干扰能力强,抗静电能力强,电参数性能稳定,上机率高,工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌,拓宽销售市场,让客户用得满意,DCDC升压电路,用的放心。
LDO带来更高的功效
我们生活和工作场所中的很多设计严重依赖于传感器来提供更准确的功能。这些传感器中的很多都需要解析小数温度、检测少量的化学品或气体,并且测量很少量的液体。由于效率对于感测很关键,我们需要集成一个开关模式电源 (SMPS),以实现80%以上的效率。遗憾的是,在集成开关稳压器时,会生成电压摆动等外部因素,对传感器的功能产生不好的影响。
通常情况下,我们在SMPS的输出上添加一个LDO来解决这个问题。LDO减少了电源设计的总体效率;然而,它使我们能够将效率保持在70%,与全线性解决方案相比,总体性能得以提升,它们的总体效率在10-20%之间。LDO还特有电源抑制 (PSR) 功能。PSR对功率波动有所帮助,由于LDO充当滤波器的角色,波动就不会再对传感器产生影响了。
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随着计算机技术和微电子技术的迅速发展,嵌入式系统应用领域越来越广泛。节能是**化的热潮,如计算机里的许多芯片过去用5V供电,现在用3.3V、1.8V,并提出了绿色系统的概念。很多厂商很注重微控制器的低功耗问题。电路与系统的低功耗设计一直都是电子工程技术人员设计时需要考虑的重要因素。
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LDO的电路原理及特性:
原则上,只要有线性特性的器件都可以,所以BJT和MOSFET都可以,但是BJT主要因为它是电流控制型不符合低功耗的要求,而且驱动电流比较大,所以Vin和Vout的差值还是太高,所以现在都采用MOSFET。至于该采用NMOS还是PMOS主要还是取决于压差,通常选用PMOS。因为PMOS的dropout电压是就是饱和压降,大约是200mV,而NMOS由于drop-out电压受到了误差放大器输出电压的限制(误差放大器的输出电压为大只能达到其电源电压,即LDO的输入电压),所以drop-out电压大小为NMOS的Vgs,所以就没有PMOS的优势了。当然也可以引入charge-pump提高误差放大器的电源电压来解决但是提高了复杂度和成本,但是NMOS调整管的PSRR(电源抑制比)比PMOS好。