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上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是:抗干扰能力强,抗静电能力强,电参数性能稳定,上机率高,工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌,拓宽销售市场,让客户用得满意,用的放心。
同步整流技术
开关电源的损耗主要由3部分组成:功率开关管的损耗,高频变压器的损耗,40V高耐压LDO,输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下,整流二极管的导通压降较高,输出端整流管的损耗尤为**。快恢复二极管(FRD)或**快恢复二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降,这就导致整流损耗增大,电源效率降低。
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同步DCDC简介
以电路为例,Q1为PWM驱动的MOS开关管。 一阶段Q1导通,此时左侧电源通过Q1对电感L和电容C充电储能并对右侧负载RL做功,二极管D是反向截止的。*二阶段Q1关闭,此时左侧电源开路不对后级电路供电,但电感L和电容C中储存的磁场和电势通过续流二极管D形成闭合回路并对负载RL做功。调整PWM占空比即可在输出端得到电源的减压输出。
二阶段续流二极管D导通会消耗一部分的电能,如果用导通电阻很小的MOS管Q2取代二极管D将有效降低续流过程中的损耗,提高效率,尤其是在大电流输出DCDC电路中更甚。Q2的开关动作要配合Q1实现二极管的整流作用,这个配合过程叫同步,因此同步DCDC就这么得来了,上述用二极管整流的就叫做非同步DCDC。
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同步整流是采用通态电阻较低的**功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DCDC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
同步整流的基本电路结构:
功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时,要求电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流。