BBO电光调Q开关

相对于传统的 KD*P 电光调制晶体，BBO(偏硼酸钡β-BaB2O4)晶体具有较低的吸收系 数，弱的压电振铃效应，更宽的光谱透过范围（210-2000nm）等优点。相对于RTP 电光 调制晶体，BBO 晶体具有更高的消光比、抗损伤阈值和温度时应系，有利于提高激光输出 功率稳定性。因此，由BBO 晶体制成的电光Q开关常被应用于高重复频率（高达800KHz）， 高功率（高达900W）的电光调Q 激光器，腔倒空调Q 激光器和全固态皮秒、飞秒再生放大系统中。 

产品特点
高重复频率，可达500KHZ
高峰值功率抗损值
低吸收率
高紫外波段透过率
高精度低噪点


较大截面 12 x 12 mm2
较小截面2 x 2mm2
较大长度 25 + 25 mm
常规长度20mm
平面度λ/10 @ 633nm
透过畸变λ/8 @ 633nm
光学平行< 20 arc sec.
侧垂< 5 arc sec.
光洁度10-5 膜后20-10
端面镀膜210-2000nm可订制
抗光伤阈值600MW/cm2 @10ns，10Hz，1064nm