MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V(典型值)的低漏-源导通电压(传感器)[2]。此外,它还具有较低的开通和关断损耗,分别为14mJ(典型值)[3]和11mJ(典型值)[3],与典型的硅(Si)IGBT相比降低了约[4]。这些特性均有助于提高设备效率。由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗,用户可采用模块数量少的两电平电路取代传统的三电平电路,有助于设备的小型化。
将不断创新,持续满足市场对率和工业设备小型化的需求。
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应用:
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工业设备
-可再生能源发电系统(光伏发电系统等)
-储能系统
-工业设备用电机控制设备
-高频DC-DC转换器等设备
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特性:
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-低漏-源导通电压(传感器):
VDS(on)sense=0.7V(典型值)(ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃)
-低开通损耗:
Eon=14mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
SRD991-CHFD1EDANY-V01
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