不良芯片
不良芯片
使用同一个定子,当一相RM绕组通电时,其交链的磁通相当于hb的三相绕组的磁通。当三相RM型步进电机的转子由外部转矩驱动时,其相绕组的感应电压的波形如下图所示,RM型的电压波形接近正弦波,从而推出磁通的波形也是正弦波;相对的HB型电压波形与RM型比较略有畸变。其次,从RM型步进电机细分驱动效果看,下图为RM型步进电机进行步距角细分(10倍)与HB型步进电机的角度精度的比较,RM型步进电机经过细分控制的角度线性精度好于HB型步进电机。
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