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国芯思辰|基本半导体大电流高压碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS电源高效化,导通电阻32mΩ

国芯思辰|基本半导体大电流高压碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS电源高效化,导通电阻32mΩ

UPS电源作为日常生活中的应急备用电源,其效率要求也逐渐提高。UPS电源内部主电路拓扑多采用LLC谐振变换器,然而传统的功率MOS(**级结MOS和COOLMOS)已经很难满足电源高开关频率的需求,国产基本半导体大电流高压碳化硅MOS B1M032120HK可以很好的满足这一应用。

LLC谐振变换器的典型电路图

如图是UPS电源LLC谐振变换器的典型电路图,其输入电压一般以AC220V或者380V为主。以15KW-20KW功率的UPS电源为例,开关频率要求在100KHz以上,同时母线较高电压可达450-600V,原边功率管Q1和Q2上的电流较大在40A-50A左右,传统的功率MOS电流电压上很难做到兼容,可选择少,此时大电流高压的碳化硅MOS便是较佳选择。

针对这一应用需求,这里提到基本半导体的大电流高压碳化硅MOS B1M032120HK,其应用优势如下:

1、耐压高,电流大,1200V的耐压可以确保碳化硅MOS在UPS电源输入电压波动时不易被损坏,同时在Tc=100℃时,较大ID可达84A,用于15KW的UPS电源,电流裕量也很充足;

2、导通电阻低,其典型值32mΩ,这样就可以确保在100KHz工作时,导通损耗能做到很低,大大降低管子的发热量;

3、集成快恢复体二极管,其内部体二极管的反向恢复时间仅27ns,用于UPS电源的LLC拓扑中,损耗进一步降低;

4、采用TO-247-4L封装,增加开尔文引脚,降低驱动布线带来的杂散电感和电容,大大提高电路工作的可靠性;

5、基本半导体的国产碳化硅MOS,相对于进口器件优势明显,是国产化项目的较佳选择。

注:如涉及作品版权问题,请联系删除。


国芯思辰(深圳)科技有限公司专注于MCU,NVSRAM,ADC/DAC等

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