石墨烯作为一种新型战略性重要材料，可应用于科研、芯片电路电子、新能源、新材料、生物技术等诸多重要行业，特别是科研级别的石墨烯薄膜，需要较稳定较高品质的石墨烯，这就要求我们能从常见的基底石墨烯的基础上，刻蚀掉铜基底得到石墨烯/保护层薄膜，然后再将石墨烯和起保护作用的薄膜转移至“悬空基底”上，用户拿到产品后只需将产品在去离子水中轻轻释放就可得到可直接转移至多种基底的自己转移石墨烯薄膜，即悬空自主转移石墨烯薄膜。

一步法转移石墨烯薄膜

本文介绍自己转移石墨烯薄膜工艺就以“泡-取”式石墨烯为基础，以微晶科技湿法转移方法为例，介绍使用离子蚀刻剂(如过硫酸铵水溶液)来溶解生长基底，然后将石墨烯从液体清洁溶剂(通常是去离子水)转移到目标衬底而不干燥。各种支撑层/基底层/保护层用于实现石墨烯的清洁和无残留转移。湿法转移，就是以微晶科技“泡-取”式石墨烯为基础获取自己转移石墨烯薄膜的工艺，目前是较常见和较普及的转移石墨烯薄膜的方法，以自己转移石墨烯薄膜的工艺的成功率高、品质稳定、可靠，也是降低成本、广泛推广应用的一个重要途径；此方法还能较大限度地降低操作程序与数量，减少残留物和对转移的石墨烯薄膜的损坏。

一步法转移石墨烯薄膜规格参数

一步法转移石墨烯薄膜（少层）

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