OPTOI光电晶体管阵列OIT15C-NR
产品型号：OIT15C-NR
产品介绍
OIT15C-NR 包含在硅光电晶体管的单片阵列中。光电晶体管在背面基板上有一个公共集电极，该集电极连接到单个焊盘，每个发射器都可以访问特定的焊盘。阵列的光学间距为 0.45 mm，LCC 封装电气间距为 1.10 mm。每个元件的有效面积为 0.25 x 0.50 mm2。
该产品的优点是硅传感器的高度均匀性，由于单片结构和受控的微电子过程，信号的高稳定性和高光学响应性，由于沉积在光电晶体管区域上的抗反射涂层。
该设备采用薄塑料薄膜保护，可抵抗回流炉工艺。一旦将设备组装到电子板上，就须去除薄膜，用户可以安装光学标线片。尺寸减小，以优化成本和编码器空间。两个参考标记可用于准确的标线定位。
性能特点
l 耐焊接工艺，MSL2
l 硅电池的高均匀性
l 更小的光学间距，更宽的有效区域
l 高增益
l 非常小的尺寸
l 准确安装的参考点
l 提供分划板组装服务
技术参数
工作温度范围：-40 100 °C
储存温度：-40 100 °C
引线温度（焊锡）3s：230 °C
集电极-发射较击穿电压@TA=25°C IB=100nA IC=1mA：50 V
功耗，TA=25°C 时：150 mW
静电放电敏感性：3级
暗电流 VR=10V：典型5nA，max.100 nA
响应度：0.5 A/W
峰值响应度 VCE=5V：750 nm
光谱带宽@50% VCE=5V：500…950 nm
发射较-集电极电流 VCE=7.7V：0.025…100 μA
集电极-发射较电流 VCE=52V：0.025…100 μA
增益 VCC=5V IC=2mA：典型500，min.1100，max.500
饱和电压 IE=2mA IB=20μA：80…200 mV
通态集电极电流 VCE=5V EE=1.0mW/cm2：1 mA
上升时间VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ：10 μs
下降时间 VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ：10 μs
光电晶体管有效面积：0.125 mm2
有效区域长度：0.25 mm
有效区域宽度：0.50 mm
产品尺寸
产品应用
光学编码器
增量编码器
光接收器
控制/驱动
光传感器
天津西纳智能科技有限公司专注于传感器,电机等