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LUMENTUM芯片PA009211

LUMENTUM芯片PA009211

LUMENTUM芯片PA009211

产品型号:PA009211

产品介绍

 

Lumentum APD 芯片是一种基于磷化铟 (InP) 的器件,设计用于高达 11.3 Gbps 的高性能电信接收器应用。 通过提供 30 μm 孔径的环形触点,通过*有源区的**部照明接收光信号。

P(阳极)和 N(阴极)触点在有源区上施加反向电偏压。 圆形 P 键合焊盘的直径为 70 微米,适用于引线键合。

APD 适用于以 M3 和 M10 之间的倍增增益因子以高达 11.3 Gbps 的速度运行。

性能通过包括 DC、CV 和 AC 测试测量的晶圆测试来检查。

<1FIT 的可靠性源自**过 400 亿个现场小时。

Telcordia ESD 等级:min. 500 V型号。

 

性能特点

 

400 x 400 x 80 微米尺寸

**部照明 30 μm 孔径

高带宽

响应能力好

0.2 pF 电容

**部引线焊盘

针对环氧树脂附着进行了优化

-40 至 +85°C 操作

高达 11.3 Gbps 的性能

非常高的可靠性

大批量生产

强大的 ESD 性能

 

技术参数

 

击穿电压(在黑暗中,Id=10 µA)Vbr:-26-32 V

暗电流(在黑暗中,Vbr * 0.9) Id9:50 毫安

3dB 带宽,M=10(10 µW 入射 1550 nm,I=100 µA)BWM10 6.0 GHz

3dB 带宽,M=3(10 µW 入射 1550 nm,I=30 µA)BWM36.0 GHz

响应度 10 µW,1550 nm)R:1.0 A/W

在固定电压下((VM3 和 VM10,Popt = 10µW,λ=1550 nm)1610 nm 时的电流比

R1610/R15500.75

1300 nm 与 1550 nm 的响应率比(在固定电压下(VM3 和 VM10,Popt =10 µW, λ=1550 nm) 时的电流比)R1300/R15500.70

Vbr 温度系数(-40 至 +85°C)dVbr/dT:0.040 0.061 Vdeg-1

总电容(At Vbr * 0.9)C:0.220.25 pF

光过载(M3)Povld:-2 dBm

 

产品应用

 

长途网络

单模数据通信和电信

10G PON


天津西纳智能科技有限公司专注于传感器,电机等

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