随之静电安全防护在各电子器件生产制造公司的实践中，公司也明确提出了许多对于静电安全防护的实际问题，甚至是对静电安全防护的整体认知造成了许多疑问、猜疑。在其中常被谈及的问题之一，工厂都了解身体高静电会对电子器件器件(以各种各样IC为主)造成伤害，这类广泛认识没有问题。

可是绝大多数的电子器件公司没办法形成静电安全防护与生产制造合格率或质量损失的关联认知。那麼，是不是身体一旦静电不受控，裸手触碰静电比较敏感IC，就会导致IC毁坏么?而实际上，的确有公司认证过，非常少有发现IC(HBM-200V)毁坏，即便是身体静电达1000V。

要处理这一问题，就必须深层次到了解IC器件ESD无效机理的方面上。比如IC器件中普遍的MOS(Metal Oxdide Semiconductor)管，其关键ESD无效机理是电级绝缘层(电介质层)在遭到过高的静电场功效下产生热击穿，一瞬间造成大ESD电流量导致绝缘层产生热毁坏，可能会导致IC的原来设计方案作用无效。从而认识算出，IC器件中绝缘层遭受较高的静电场功效，才算是IC是不是产生ESD无效的本质要素。

集成电路芯片(Integrated Circuit)是一种小型电子器件器件或构件。选用一定的工艺，把一个电源电路中需要的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元器件及走线互联一起，制做在一小块或几一小块半导体材料芯片或物质基片上，随后封裝在一个管壳内，变成具备需要电源电路作用的小型构造;在其中所有元器件结构类型已构成一个总体，使电子元器件朝着微实用化、功耗和销售电价层面迈入了一大步。

这时，我们再拿带高静电的工作人员裸手触碰静电比较敏感的IC管脚的ESD情况与带高静电的工作人员裸手去碰触有管脚接地装置的静电比较敏感IC做比照，二者的关键区别取决于身体对IC触碰充放电时，IC是不是有管脚处在接地装置情况。而此区别就导致了IC中的静电比较敏感构造(如电级绝缘层)承受的ESD风险差别(绝缘层的静电热击穿)截然不同。

假如作以粗略地的形容以便捷了解，大概算出身体对无管脚接地装置的IC触碰充放电，充放电相对路径短，ESD迁移的静电荷量就低;然而有管脚接地装置的IC，在遭受一样的身体触碰充放电情况下，充放电相对路径更长许多，ESD迁移的静电荷量也就高许多，所导致的ESD毁坏风险也就**许多。

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