随之静电安全防护在各电子器件生产制造公司的实践中，公司也明确提出了许多对于静电安全防护的实际问题，甚至是对静电安全防护的整体认知造成了许多疑问、猜疑。在其中常被谈及的问题之一，工厂都了解身体高静电会对电子器件器件(以各种各样IC为主)造成伤害，这类广泛认识没有问题。

可是绝大多数的电子器件公司没办法形成静电安全防护与生产制造合格率或质量损失的关联认知。那麼，是不是身体一旦静电不受控，裸手触碰静电比较敏感IC，就会导致IC毁坏么?而实际上，的确有公司认证过，非常少有发现IC(HBM-200V)毁坏，即便是身体静电达1000V。

要处理这一问题，就必须深层次到了解IC器件ESD无效机理的方面上。比如IC器件中普遍的MOS(Metal Oxdide Semiconductor)管，其关键ESD无效机理是电级绝缘层(电介质层)在遭到过高的静电场功效下产生热击穿，一瞬间造成大ESD电流量导致绝缘层产生热毁坏，可能会导致IC的原来设计方案作用无效。从而认识算出，IC器件中绝缘层遭受较高的静电场功效，才算是IC是不是产生ESD无效的本质要素。

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