目前用多孔硅氮化钛(Si-TiN)做电极的电容装置能完全稳定地通过5万次测试。在功率密度和能量密度方面,新电极装置比得上目前较先进的**级电容器。目前由氧化石墨烯/还原氧化石墨烯制造的芯片微电容器功率密度为200瓦/立方厘米,能量密度为2毫瓦时/立方厘米,而新电极装置功率密度达到214瓦/立方厘米,从电子产品的功率稳定器到局部能量采集存储器,芯片**级电容器有着广泛的应用。普伦尼拉说,他们在整体设计中还存在一些难题,每单位面积电容仍需提高,要达到技术许可的较高水平,他们还需进一步研究。
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