PN8160 内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源，该芯片提供了较为全面和性能优优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护，过载保护，软启动功能。

通知QR+CCM,ECO-mode,Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗，全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的ＥＭＩ表现。

1.**高压启动，*启动电阻，待机功耗小于50mW；

2.QR-PWM + QR-PFM + Burst Mode提高平均效率，精准谷底开通算法，轻松满足六级能效；

3.自适应PWM工作频率(85/65kHz)，减小变压器体积，校正高低压过流点一致性；

内置电流采样管，*CS电阻，节省成本、提高效率、简化布板；

4.叠层封装技术，热阻更小，24W*散热片；高低压脚位两侧排列，更高安全性；

5.**宽VDD电压8-40V，适合快充应用；

6.全面保护功能：输出过压保护、VDD欠过压保护、过温保护、过载保护、输出二极管短路等保护；

7.**高可靠性：40V BCD平台 + 690V Smart MOSFET；HBM ESD大于4kV；Latchup电流大于200mA。

HIPOWN 芯朋微全系列一级代理

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