本期为大家介绍骊微电子热门方案 PN8370M+PN8305L 5V2A六级能效充电方案，该5v2a充电器芯片方案拥有低待机、高效率、小体积、高可靠性等优点，备受工程师青睐！

PN8370M集成**低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。

PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置13 mohm 55V Trench MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

5V2A小体积六级能效充电方案特性：

输入电压：90~265Vac全电压

输出功率：10W

平均效率：＞78.7％，满足六级能效要求(高效率)

待机功耗：＜50mW，Vin=264Vac(低待机)

PN8305L双供电全工作状态无直通风险(高可靠性)

拥有输出短路保护，输出过流保护，输出欠压保护(PCB端3.1V以下)，VDD过压保护，FB分压电阻开路短路保护，以及电流检测电阻Rcs开短路保护，过温保护(保护功能齐全)

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