国产手机增长迅猛，取得话语权。随着华为、OPPO、Vivo等国产手机厂商在**份额不断扩大，中国厂商产业链整合能力提升，将可以取得快速充电市场的主导权。相比高压快充方式，低压大电流在实现同样功率下效率更高，充电器和手机发热更少，将占据市场主流。
常见快速充电技术可分为两种：
高压快充：通过提高电源适配器输出电压来提高终端充电功率和速率。
低压快充：通过提高电源适配器输出电流来提高终端充电功率和速率。
现市面上使用的电池管理芯片，国外的主要是TI和Fairchild的产品。而国内深圳钲铭科电子也推出几款适用于智能手机的快充芯片。
1.DK5V45R10 是一款简单gaoxiao率的同步整流芯片，只有 A，K 两个引脚，分别对应肖特基二极管的 A，K 引脚。芯片内部集成了 45V 功率 NMOS 管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管。产品特点：支持 DCM 和 QR 模式反激系统。 内置 10 mΩ 45V 功率 NMOS 管。特有的自供电技术，*外部供电电源。 自检测开通关断，*外部同步信号。可直接替换肖特基管, 对 EMC/I 有适当改善。
2.DK5V45R15 是一款简单gaoxiao率的同步整流芯片，只有 A，K 两个引脚，分别对应肖特基二极管的 A，K 引脚。芯片内部集成了 45V 功率 NMOS 管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管。产品特点：支持 DCM 和 QR 模式反激系统。内置 15 mΩ 45V 功率 NMOS 管。特有的自供电技术，*外部供电电源。 自检测开通关断，*外部同步信号。可直接替换肖特基管,对 EMC/I 有适当改善。
3.DK5V45R20 是一款简单gaoxiao率的同步整流芯片，只有 A，K 两个引脚，分别对应肖特基二极管的 A，K 引脚。芯片内部集成了 45V 功率 NMOS 管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。产品特点：支持 DCM 和 QR 模式反激系统。内置 20 mΩ 45V 功率 NMOS 管。特有的自供电技术，*外部供电电源。自检测开通关断，*外部同步信号。可直接替换肖特基管,对 EMC/I 有适当改善。
4.DK5V45R25 是同步二极管芯片。芯片内部集成了 45V 功率 NMOS 管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。产品特点：支持 DCM 和 QR 模式反激系统。内置 25 mΩ 45V 功率 NMOS 管。特有的自供电技术，*外部供电电源。自检测开通关断，*外部同步信号。可直接替换肖特基管,对 EMC/I 有适当改善。
5.DK5V100R25 是同步二极管芯片。芯片内部集成了 100V 功率 NMOS 管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。产品特点：支持 DCM 和 QR 模式反激系统。内置 25 mΩ 100V 功率 NMOS 管。特有的自供电技术，*外部供电电源。自检测开通关断，*外部同步信号。可直接替换肖特基管,对 EMC/I 有适当改善。
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