1905年在陨石中发现碳化硅。

　　1907年碳化硅晶体发光二极管诞生。

　　1955年理论和技术上重大突破，LELY提出生长高品质碳化概念，从此将SiC作为重要的电子材料。

　　1958年在波士顿召开世界碳化硅会议进行学术交流。

　　1978年六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法。

　　1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。

　　                                  碳化硅喷嘴的物理性质

　　碳化硅的折射率非常高，在普通光线下为2.6767~2.6480;在特殊光线下为2.6889~2.6930.各种晶型的碳化硅比重十分接近，一般为3.217.碳化硅砂的堆积密度为1.2~1.6g/cm3之间波动，取决于粒度型号、粒度组成和颗粒形状。耐火材料用碳化硅砂还测定其摇实密度，整xing后的8#以下通料的摇实密度可达2.1~2.4g/cm3.

　　碳化硅的莫氏硬度为9.2.黑SiC与绿SiC的硬度无论在常温下还是高温下都基本相同，没有本质上的差别。

　　碳化硅的膨胀系数不大，以下为测定结果。在25~1400℃范围内，碳化硅平均热膨胀系数可取4.4×10（-6℃-1）。

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