硅行业发展历程


	从20世纪50年代开始，各个研究小组开始了硅的研究工作，研究小组主要包括：贝尔实验室的G.K.迪尔(Teal)小组，主要研究硅单晶的生长；西门子集团的W.Heywang小组与豪斯科(Halske)材料研究实验室，主要研究硅的纯化，制出高纯硅；在普莱茨菲尔德(Pretzfeld)的E.斯潘科(E.Spenke)**下的实验室也加入到硅的研究工作中。


	1957年基尔比(Killby)搭建了**批功能化的集成电路。1960年贝尔实验室的康(Kahng)和艾塔拉(Atalla)**研制出MOS晶体管。这两项发明为硅集成电路在信息技术市场中的大规模应用开辟了道路。


	硅的大规模生产主要采用两种方法：


	


	1.    垂直区熔法：1952年由贝尔实验室斯尤尔(K.H.Theuerer)等和西门子的K.斯伯茨(K.Siebertz)与H.汉克(H.Henker)发明，经过若干技术改进，适用于大规模生产，可以制造直径为几厘米，278长度**过1米的硅棒，然而由于该法自身在物理上的局限，致使硅棒的直径受到制约。


	


	2.    经典坩埚提拉法：由于对更大直径硅晶片持续增长的需求，垂直区熔法被根据切克劳斯基(czochralski)法设计的经典坩埚提拉法取代，该方法在美国被广泛使用。大规模工业生产高品质单晶硅对于计算机通讯系统、传感器、医疗设备、光伏器件、卫星、宇宙飞船等都有重大影响，美国的贝尔实验室、德州仪器公司、欧洲的菲利普、西门子和瓦克等**大公司抓住了机遇成为初期的硅生产厂家。到了20世纪六十年代，硅成为主要应用的半导体材料，到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合物半导体和混晶半导体材料：如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝砷的应用有所发展。一些非晶态半导休和**半导休材料（如萘、蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导体特性，也开始得到了应用。


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