变频器的主要发热部位也就是整流及逆变部分。整流一般采用三相桥式整流电路，由于是工频工作，对整流模块的开关频率没有太高的要求，选择压降小的整流模块可降低这一部分的温升。在变频器工作时，作为完成功率变换及输出的执行器件，逆变模块产生的热量是非常大的。

目前主流变频器的逆变模块一般采用IGBT模块（insulated gate bipolartransistor绝缘栅双较型晶体管），IGBT是由mosfet和双较型晶体管复合而成的一种器件，其输入较为mosfet，输出较为PNP晶体管，因此，可以把其看作是mos输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点，既具有mosfet器件驱动简单和**的优点，又具有双较型器件容量大的优点，igbt作为电压型控制器件，具有输入阻抗高、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高、功率容量大等优点，

因而在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。一般情况下流过igbt电流较大，开关频率较高，故而器件的损耗也比较大，如果热量不能及时散掉，使得器件的结温tj**过tjmax，则igbt可能损坏。igbt模块的芯片较大额定结温tjmax是150℃，在任何工作条件下，都不允许**过，否则要发生热击穿而造成损坏，一般要留余地，在较恶劣条件下，结温tj限定在125℃以下，但芯片内结温监测有难度，所以变频器的igbt模块，都在散热器表面装有温控开关，其值在80~85℃之间。当达到此温度时，即因过热保护动作，从而自动停机，以确保igbt的安全。也有用热敏电阻进行保护的。igbt的损耗不仅与工作电流大小有关，更重要的是与变频器的载波频率密切相关。当PWM信号频率＞5kHz时开关损耗会非常显着，温升会明显增加。igbt的功耗包括稳态功耗和动态功耗，其动态功耗又包括开通功耗和关断功耗。

其他如半导体器件与导体的连接处、母线（排）、浪涌吸收器与主电路的电阻原件等也在变频器工作时产生热量，其温升极限值在地区标准中也做出相应规定。