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从晶片研发，到电路的设计。公司已经有了实际的技术和开发生产能力，现将一些晶振设计电路，32.768K，千赫晶体匹配电容、晶振匹配IC、晶振振荡模式、驱动电压和功率，焊接温度曲线等应用技术公布，希望在此能帮助到一些有需要的公司和设计人士。
石英晶振振荡电路的设计概述
晶振|振荡电路设计的关键参数
驱动级（DL），晶振|振荡频率和负载电容（CL）
晶振|振荡模式，频率温度曲线
晶振驱动级（DL）
晶体单元的驱动器的运行功率或电流消耗水平（参见图9,10和11）所示。晶体单元操作的权力过大，水平，将导致其特点，这可能会导致晶体芯片的频率不稳定或物理故障的退化。你的电路设计在**较大驱动电平。
石英晶振|振荡频率和负载电容（CL）
负载电容（CL）是一个确定的晶振|振荡电路的频率参数。 CL是代表一个有效的等效电容，加载从晶振|振荡电路的晶体单元的两端（见图12）。
晶振|振荡频率会有所不同，这取决于负载电容
晶振|振荡电路。为了获得理想的频率精度，晶振|振荡电路的负载电容和晶体单元之间的匹配是必需的。为使用的表晶单元，配合晶体单元的负载电容的晶振|振荡电路的负载电容。
振荡津贴
为了确保稳定的振荡电路的负电阻应该显着**等效串联电阻较大的（振荡津贴是大）。确保振荡津贴，是至少5倍的等效串联电阻大。
振荡津贴的评价方法
加入电阻“RX”系列表晶单元，并确保该振荡启动或停止。近似的负阻电路是通过增加有效的抵抗“RE”的较大阻力“RX”振荡启动或停止后，逐渐使Rx值较大时，得到的值。
负阻 - R的|= RX+复
|-R的是一个至少5倍作为较大的晶体单元的等效串联电阻（R1的较大值）。大的价值。
* Re为振荡过程中的有效电阻值。
RE = R1（1+ CO/ CL的）2
频率温度曲线
音叉晶体的频率温度特性的负二次曲线，其中有一个高峰期在25ºC每左图所示。
请确保你所需要的温度范围和频率精度考虑，因为频率的幅度变化变得越来越大，温度范围变宽。
[频率温度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A：抛物系数 T：给定的温度
钛成交额温度的
作者：康华尔――晶振帝国
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