国芯思辰|基本半导体碳化硅MOS B1M080120HK助力光伏逆变器升压电路设计
发布时间:2022-10-24
如下图为典型的光伏逆变器框图。该光伏逆变器设计主要由BOOST电路和逆变电路组成。BOOST电路的功率器件通常选择IGBT单管和SiC二极管搭配使用。为了提高功率密度,需要BOOST开关频率越高,因为这样可以降低BOOST电感体积,提高功率密度,由于IGBT的开关频率受制于开关速度和拖尾电流等因素,其开关频率一般不**过20kHz,如果开关频率过高的话,会导致开关损耗太大,发热量剧增而损坏。因此,要